电子技术基础（一） | |||||||||
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| 下面的试卷和答案是以最新至最旧的年份排序的 | |||||||||
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全国2008年7月电子技术基础（一）试卷 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．P型半导体中多数载流子是（ ） A．自由电子 B．空穴 C．负离子 D．正离子 2. 理想二极管构成的电路如题2图所示， ...... | |||||||||
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全国2008年4月自考电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．N型半导体中少数载流子是（ ） A．正离子 B．负离子 C．空穴 D．自由电子 2．理想二极管构成的电路如题2 ...... | |||||||||
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全国2007年7月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.PN结加正偏，其耗尽层的厚度将（ ） A.变宽 B.变窄 C.不变 D.不能确定 2.理想 ...... | |||||||||
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2007年4月自考答案电子技术基础(一) ...... | |||||||||
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全国2007年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（ ） A．变宽 B．变窄 C．不变 D．不能确定 2．理想 ...... | |||||||||
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全国2006年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的（ ） A.三价元素 B.四价 ...... | |||||||||
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全国2006年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ ） A．三价元素 B ...... | |||||||||
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全国2005年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺少量的( ) A.三价元素 ...... | |||||||||
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浙江省2004年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分) 1. 对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是 ( )。 A. 最大整流电流大，最高工作频率高 B. 最大整流电流小，最高工 ...... | |||||||||
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全国2004年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 ...... | |||||||||
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浙江省2003年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分) 1. 在图所示的二极管中，当温度上升时，电流I将( )。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定< ...... | |||||||||
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全国2003年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共16小题，每小题2分，共32分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.半导体三极管处在放大状态时是( ) A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏 | |||||||||
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浙江省2002年7月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，并将其号码填在题干的括号内。每小题2分，共28分) 1. 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外 ，工艺上还要采取如下措施：( ) A. 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 ...... | |||||||||
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全国2002年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共15小题，第1—10小题，每小题1分，第11—15小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为( ) A.扩散电流大于漂移 ...... | |||||||||
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