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电子技术基础(一)

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    下面的试卷和答案是以最新至最旧的年份排序的
    
全国2008年7月电子技术基础(一)试卷
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.P型半导体中多数载流子是(   )
A.自由电子 B.空穴
C.负离子 D.正离子
2. 理想二极管构成的电路如题2图所示,
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全国2008年4月自考电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.N型半导体中少数载流子是( )
A.正离子 B.负离子
C.空穴 D.自由电子
2.理想二极管构成的电路如题2
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全国2007年7月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.PN结加正偏,其耗尽层的厚度将( )
A.变宽 B.变窄
C.不变 D.不能确定
2.理想
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2007年4月自考答案电子技术基础(一)





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全国2007年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.PN结加反向偏置时,其PN结的厚度将(   )
A.变宽 B.变窄
C.不变 D.不能确定
2.理想
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全国2006年7月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的(   )
A.三价元素 B.四价
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全国2006年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( )
A.三价元素 B
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全国2005年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的( )
A.三价元素
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浙江省2004年7月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)
1. 对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是 ( )。
A. 最大整流电流大,最高工作频率高
B. 最大整流电流小,最高工
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全国2004年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(   )
A.本征半导体 B.温度
C.杂质浓度
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浙江省2003年7月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)
1. 在图所示的二极管中,当温度上升时,电流I将( )。

A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 不确定<
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全国2003年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.半导体三极管处在放大状态时是( )
A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏......
    
浙江省2002年7月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分)
1. 从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外
,工艺上还要采取如下措施:( )
A. 发射区掺杂浓度高,集电结面积小
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全国2002年4月高等教育自学考试
电子技术基础(一)试题
课程代码:02234
一、单项选择题(本大题共15小题,第1—10小题,每小题1分,第11—15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1.当P—N结承受反向电压时,其内部电流关系为( )
A.扩散电流大于漂移
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